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J-GLOBAL ID：200903084917916548
スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに電子デバイスの配線方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992166696
Publication number (International publication number)：1993335271
Application date： Jun. 03, 1992
Publication date： Dec. 17, 1993
Summary：
【要約】【目的】アルミニウム合金からなるスパッタリングターゲットに関し、ターゲットから得られる配線パターンにおける断線を防止することを目的とする。【構成】半連続鋳造法等によって得られたSi等の溶質元素を含むアルミニウム合金を、500〜650°Cの温度で30分以上加熱し、水中において室温まで急冷し、更に、100〜500°Cの間の温度で5〜30分間の比較的短時間の熱処理を行い、アルミニウム合金内の固溶体の比率を30%を越える値に選定することで、アルミニウム合金内で析出する溶質元素の粒子が微細になると共に均一に分散する。スパッタリング法を介してこのターゲットから得られる配線パターンにおいては、従来配線層内で析出粒子により生ずることがあった配線パターンの断線が防止され、LSI等の信頼性が向上する。
Claim (excerpt)：
重量比で0.01〜3%のSiから成る溶質、若しくは、重量比で0.01〜3%のSiと重量比で0.01〜3%のCu、Ti、Pd、Zr、Hf、及びY、Scを含む希土類元素の1種又は2種以上とから成る溶質を含むアルミニウム合金から構成されるスパッタリングターゲットにおいて、前記アルミニウム合金中において、溶質の固溶率が30%を越えることを特徴とするスパッタリングターゲット。
IPC (4)：
H01L 21/285
, H01L 21/285 301
, C23C 14/34
, H01L 21/3205
