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J-GLOBAL ID：200903084919870979

ウェーハ加工工程排水の処理方法

Inventor： 青木 正治 ,  小野沢 一郎 ,  堀内 忠彦
Applicant, Patent owner： 信越半導体株式会社
Agent (1)： 高橋 昌久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000157153
Publication number (International publication number)：2001334275
Application date： May. 26, 2000
Publication date： Dec. 04, 2001
Summary：

【要約】【課題】 半導体ウェーハ加工工程で排出する特異な排出物を相互に有効利用して処理反応に使用し、従来よりも低コストで、河川に放流可能な水質に処理すること。【解決手段】 半導体ウェーハ加工工程排水のうち、難分解性有機物系排水を第一鉄塩の存在下で、別の系から排出する強酸性排液にてPHを調節して、更に別の系から排出する過酸化水素含有排水の過酸化水素で前記難分解性有機物を酸化分解するなどの総合的な処理を行う。

Claim (excerpt)：

半導体ウェーハ加工工程排水の総合的な処理方法において、難分解性有機物系排水を第一鉄塩の存在下で、別の系から排出する強酸性排液にてPHを調節して、更に別の系から排出する過酸化水素含有排水の過酸化水素で前記難分解性有機物を酸化分解することを特徴とする排水の処理方法。

IPC (11)：

C02F 1/72 ZAB ,  C02F 1/28 ,  C02F 1/52 ,  C02F 1/58 CDG ,  C02F 3/30 ,  C02F 3/34 101 ,  C02F 9/00 501 ,  C02F 9/00 502 ,  C02F 9/00 ,  C02F 9/00 503 ,  C02F 9/00 504

FI (14)：

C02F 1/72 ZAB Z ,  C02F 1/28 A ,  C02F 1/52 K ,  C02F 1/58 CDG M ,  C02F 3/30 Z ,  C02F 3/34 101 A ,  C02F 9/00 501 F ,  C02F 9/00 502 H ,  C02F 9/00 502 P ,  C02F 9/00 502 R ,  C02F 9/00 503 C ,  C02F 9/00 503 G ,  C02F 9/00 504 A ,  C02F 9/00 504 E

F-Term (47)：

4D024AA04 ,  4D024AA08 ,  4D024AB04 ,  4D024AB11 ,  4D024BA02 ,  4D024DB15 ,  4D024DB16 ,  4D024DB21 ,  4D024DB23 ,  4D038AA08 ,  4D038AB41 ,  4D038BA04 ,  4D038BB06 ,  4D038BB16 ,  4D038BB18 ,  4D038BB19 ,  4D040BB05 ,  4D040BB15 ,  4D040BB22 ,  4D040BB25 ,  4D040BB57 ,  4D040BB66 ,  4D040DD03 ,  4D040DD14 ,  4D050AA13 ,  4D050AB12 ,  4D050BB09 ,  4D050BC07 ,  4D050BD06 ,  4D050CA06 ,  4D050CA16 ,  4D050CA17 ,  4D062BA19 ,  4D062BB05 ,  4D062BB12 ,  4D062CA07 ,  4D062DA04 ,  4D062DA05 ,  4D062DA13 ,  4D062DB02 ,  4D062DB33 ,  4D062FA01 ,  4D062FA02 ,  4D062FA12 ,  4D062FA22 ,  4D062FA24 ,  4D062FA26