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J-GLOBAL ID：200903084928366680

固体撮像装置

Inventor： 井上 郁子 ,  山下 浩史 ,  山口 鉄也 ,  井原 久典 ,  中村 信男 ,  野崎 秀俊
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998087385
Publication number (International publication number)：1999284168
Application date： Mar. 31, 1998
Publication date： Oct. 15, 1999
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】フォトダイオードの暗時のリーク電流が小さく、ダイナミックレンジの大きく、ブルーミング、混色を抑制した固体撮像装置を提供する。【解決手段】半導体基板上に形成されたp型半導体層51と、このp型半導体層の表面に形成されたn型半導体層52、n型半導体層53と、p型半導体層51の表面に酸化膜54を挟んで堆積されたゲート電極55とを有し、p型半導体層51とn型半導体層52によりダイオードを生成し、半導体層51〜53によりトランジスタを形成し、当該トランジスタのドレインに相当するn型半導体層53を深く形成し、かつ、当該n型半導体層53が隣接トランジスタのドレインに相当するn型半導体層と基板中で電気的に接続され、当該ドレインに拡散電流を集める構成とする。

Claim (excerpt)：

光電変換部と信号走査回路を含む単位セル複数を行列二次元状に配置してなる撮像領域と、この撮像領域の各セルからの信号を読み出す信号線とを半導体基板上に形成した固体撮像装置において、前記光電変換部を分離する素子分離領域に、基板あるいはウェルと同一導電型の不純物層を基板表面の浅い領域に形成すると共に、前記基板表面の浅い領域に形成された不純物層の下の深い領域に第2の不純物分離層を形成したことを特徴とする固体撮像装置。

IPC (2)：

H01L 27/146 ,  H04N 5/335

FI (3)：

H01L 27/14 A ,  H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭60-251660
  
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-213551   Applicant：キヤノン株式会社