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J-GLOBAL ID：200903084932996701
シリコン板と金属の接合方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992316558
Publication number (International publication number)：1994151905
Application date： Oct. 30, 1992
Publication date： May. 31, 1994
Summary：
【要約】【目的】 安価な設備で比較的短時間に接合でき、かつ、気密性、耐湿性、耐衝撃性及び外観に優れ、光透過率のばらつきの少ないものを得ることを目的とする。【構成】 高純度シリコンウエハの表面及び裏面を絶縁膜で覆い、接合部分の絶縁膜を除去してシリコン層を露出させ、シリコン層表面を粗面上にするか、あるいは、シリコン層に低抵抗層を形成し、シリコン層上に無電解によりニッケルメッキ層を形成し、低融点金属にて接合することとした。
Claim (excerpt)：
光透過用窓を構成する高純度のシリコン板を金属キャップに接合するシリコン板と金属の接合方法において、高純度シリコンウエハの表面及び裏面を絶縁膜で覆い、該ウエハを接合する金属キャップの大きさに合わせて区分した各領域の金属キャップに接合する部分の表面あるいは表面及び裏面の絶縁膜を除去してシリコン層を露出させ、該シリコン層の表面を機械加工して粗面状にするか、あるいは、該シリコン層の表面に不純物を拡散して低抵抗層を形成し、該シリコン層上に上記絶縁膜をマスクに無電解により直接ニッケルメッキ層を形成するか、あるいは、一旦薄いニッケルメッキ層を形成し、加熱して該シリコン層中にニッケルを拡散させてニッケルシリサイド層を形成し、該ニッケルシリサイド層表面に残留するニッケル層及び酸化物層を除去して該ニッケルシリサイド層上に厚いニッケルメッキ層を形成し、該ウエハを接合する金属キャップの大きさに合わせて区分した各領域ごとのシリコン板に切断し、該シリコン板のニッケルメッキ層と金属キャップを半田や鉛のような低融点金属にて溶融することを特徴とするシリコン板と金属の接合方法。
IPC (2)：
H01L 31/0232
, H01L 33/00
