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J-GLOBAL ID：200903084937037389

II-VI族化合物半導体薄膜の製造方法およびII-VI族化合物半導体装置

Inventor： 中西 健司 ,  北川 雅彦 ,  友村 好隆 ,  平田 真也
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993116901
Publication number (International publication number)：1994338633
Application date： May. 19, 1993
Publication date： Dec. 06, 1994
Summary：

【要約】【目的】 II-VI族化合物半導体薄膜および半導体装置において、結晶性の高い平坦な薄膜を得ること、さらに活性層や光ガイド層に基板からの貫通転位、成長初期界面で発生する転位、格子不整合界面で生じるミスフィット転位の導入を極めて低減する製造方法を提供する。【構成】 基板面方位が2〜16度オフした(100)面を用いて成長を行う。また、半導体装置において、少なくとも活性層、光ガイド層とを含む積層構造を有し、該積層構造の光強度分布が最大となる層を活性層に一致させず、光ガイド層もしくはその他の半導体層に配置させる。さらに、活性層の上下の両層を挟んでなる少なくとも2層以上の光ガイド層を有し、該光ガイド層の活性層側とは逆の上層側と下層側の両側に、転位の拡散を抑制する半導体層を配置する。【効果】 室温、長時間動作が可能で、レーザ発振の低しきい値化が可能となる青色発光のレーザ素子を得ることができる。

Claim (excerpt)：

ダイヤモンド型および閃亜鉛鉱型構造を有する半導体単結晶基板上に、単結晶薄膜を製造する方法において、前記半導体単結晶基板の面方位が(100)面から2〜16度傾いた面であって、該基板上に少なくとも1層以上のII-VI族化合物半導体の単結晶薄膜層を積層することを特徴とするII-VI族化合物半導体薄膜の製造方法。

IPC (2)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭63-116475
  
• 特開昭52-123186
  
• 特開昭58-175887
  
• 特開昭63-240084