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J-GLOBAL ID：200903084943571265

半導体装置の製造方法

Inventor： 大野 守▲史▼ ,  林 孝尚
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991305777
Publication number (International publication number)：1993145068
Application date： Nov. 21, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：

【要約】【目的】 金属-酸窒化絶縁膜-半導体(MIS)構造部分を有する半導体装置のMIS構造部分の形成を従来より簡易に行なえる方法を提供する。【構成】 シリコン基板11のMIS構造部分形成予定領域上にタングステン酸化膜13を形成する。タングステン酸化膜13形成済みのシリコン基板11をN2 OガスまたはNH3 ガスを含む水素雰囲気中で熱処理する。水分量が分圧比でいって0.01〜1%の範囲となるようにN2 OガスまたはNH3 ガスの混合量を決める。温度は500〜1200°Cの範囲とする。【効果】 シリコン基板11のタングステン酸化膜13と接している部分に酸窒化絶縁膜15が形成できる。また、タングステン酸化膜13が還元されタングステン膜13aとなるのでゲート電極として使用できる。

Claim (excerpt)：

シリコン基板に酸窒化絶縁膜及び金属膜をこの順に積層した構造部分を有する半導体装置を製造するに当たり、前記構造部分の形成を、シリコン基板の当該構造部分形成予定領域上に金属酸化膜を形成する工程と、該金属酸化膜形成済みのシリコン基板を窒素を含む還元性雰囲気中で熱処理する工程とを含む工程で行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 29/88