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J-GLOBAL ID：200903084956425195
半導体装置およびその製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
宮井 暎夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993225398
Publication number (International publication number)：1995086331
Application date： Sep. 10, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：
【要約】【目的】 ICチップのベアチップ実装時における高密度化や多端子接続性を確保しながらバンプレスによる微細接続が可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 ICチップ1上に被圧縮性を有する多孔質基材を圧縮してなる層間絶縁層3、ならびに層間絶縁層3に支持された金属箔層5を有し、金属箔層5が層間絶縁層3の孔部に埋設した導電性ペースト4を介してICチップ1の電極パッド2と電気的に接続され、かつ金属箔層5の端部に外部接続用のリード端子5aを備えている。
Claim (excerpt)：
ICチップと、被圧縮性を有する多孔質基材を圧縮してなり前記ICチップの電極パッド形成面に設けた層間絶縁層と、この層間絶縁層の前記ICチップ被着面と反対側の面に支持され所定の導体パターンを有するとともに端部に外部接続のためのリード端子を有する金属箔層と、前記層間絶縁層に埋設され前記ICチップの電極パッドと前記金属箔層の所定の導体パターンとを接続する導電性ペーストとを備えた半導体装置。
IPC (2)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60 321
