半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994120894
Publication number (International publication number)：1995326659
Application date： Jun. 02, 1994
Publication date： Dec. 12, 1995
Summary：

【要約】【目的】溝形アイソレーション形成用の深溝を、その上部に窪みを形成することなく良好に埋め込むことのできる技術を提供することにある。【構成】アスペクト比が1より大きな溝形アイソレーション形成用の深溝5aを半導体基板1aに形成した後、深溝5a内にアスペクト比が1以内の浅溝1 が残るように埋込絶縁膜5b1 を埋め込む。続いて、半導体基板1a上に埋込絶縁膜5b2 を堆積した後、その埋込絶縁膜5b2 の上部を除去することにより、浅溝内に埋め込まれた埋込絶縁膜5b2 の上部を、その上面位置が浅溝の周囲の平面位置と等しくなるように平坦にする。

Claim (excerpt)：

アスペクト比が1より大きな溝形アイソレーション形成用の深溝を半導体基板に形成する工程と、前記深溝内にアスペクト比が1以内の浅溝が残るように第1絶縁膜を埋め込む工程と、前記半導体基板上に第2絶縁膜を堆積した後、その第2絶縁膜の上部を除去することにより、前記浅溝内に埋め込まれた第2絶縁膜の上部を、その上面位置が前記浅溝の周囲の平面位置と等しくなるように平坦にする工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (4)：

H01L 21/76 , H01L 27/08 331 , H01L 27/08 , H01L 27/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平4-277649
素子分離構造とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-145680 Applicant：ソニー株式会社
特開平3-110856

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