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J-GLOBAL ID：200903084971887669
微細パターン形成方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992037773
Publication number (International publication number)：1993234963
Application date： Feb. 25, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：
【要約】【構成】 パターニングによる加工を必要とする層が形成された基板の表面にパターニング用のネガ型フォトレジストを塗布する工程、パターニング露光により密集パターンと疎パターンとの組み合わせによる密度の異なったパターンを前記ネガ型フォトレジストに転写し、現像する工程、パターニングされた前記ネガ型フォトレジストをマスクとしてパターン疎密依存性を与える条件下でエッチングする工程とを含む微細パターン形成方法。【効果】 ネガ型レジストを用いたマスクパターンの基板へのパターン転写と、パターン疎密依存性のあるエッチング条件によるエッチングとを組み合わせることにより、できあがり加工精度を向上させることが可能となる。
Claim (excerpt)：
パターニングによる加工を必要とする層が形成された基板の表面にパターニング用のネガ型フォトレジストを塗布する工程、パターニング露光により密集パターンと疎パターンとの組み合わせによる密度の異なったパターンを前記ネガ型フォトレジストに転写し、現像する工程、パターニングされた前記ネガ型フォトレジストをマスクとしてパターン疎密依存性を与える条件下でエッチングする工程とを含むことを特徴とする微細パターン形成方法。
Patent cited by the Patent：
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