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J-GLOBAL ID：200903084981499195

W(CO)6からのタングステン膜の堆積方法

Inventor： ヒュンスク アレクサンダー ユーン ,  マイケル エックス ヤン ,  ミン シ
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 中村 稔 (外9名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001266507
Publication number (International publication number)：2002124488
Application date： Jul. 31, 2001
Publication date： Apr. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】 酸化物の層上にタングステン(W)の膜を形成する方法を提供する。【解決手段】 タングステンの膜204は、シランベースのガス混合体(例えば、SIH6、SiCl2H2およびそれらの組合せ)を用いて酸化物202を処理し(図2a)、続いて、W(CO)6の先駆物質を約250°Cから550°Cの温度範囲で熱分解することによって酸化物層の上に形成される(図2b)。タングステンの膜204が堆積された後、孔202Hは導電性材料206で満たされる。W(CO)6の先駆物質が熱分解された後、タングステンヘキサフルオライド(WF6)の熱分解からタングステンの追加の層をその上に任意に形成することができる。

Claim (excerpt)：

集積回路の製造のための薄膜の堆積方法であって、(a)シリコン化合物を含むガス混合物を用いて基板を処理するステップと、(b)前記基板上に1またはそれ以上のタングステン(W)の膜を形成するステップと、を有することを特徴とする方法。

IPC (4)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/16 ,  H01L 21/768

FI (5)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  C23C 16/16 ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C

F-Term (38)：

4K030AA06 ,  4K030AA12 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA20 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11 ,  4K030JA12 ,  4K030LA15 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104FF21 ,  4M104HH16 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK00 ,  5F033NN03 ,  5F033PP03 ,  5F033PP04 ,  5F033PP09 ,  5F033PP33 ,  5F033WW00 ,  5F033WW03 ,  5F033WW05 ,  5F033WW06 ,  5F033XX10