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J-GLOBAL ID：200903084998257276

面発光素子とその製造方法

Inventor： 藤井 元忠 ,  山本 悌二 ,  繁田 光浩 ,  武部 敏彦 ,  小林 規矩男 ,  藤本 勲
Applicant, Patent owner： 株式会社エイ・ティ・アール光電波通信研究所
Agent (1)： 青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991063124
Publication number (International publication number)：1993226778
Application date： Mar. 27, 1991
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 電流の閉じ込め用横方向p-n接合を用いた構造が簡単で製造が容易な面発光素子を提供することである。また、電流の閉じ込め用p-n接合を簡単に形成することができ、簡単なプロセスにより面発光素子を製造することができる面発光素子の製造方法を提供することである。【構成】 III-V族化合物半導体(111)A基板を用いた面発光素子である。III-V族化合物半導体(111)A基板は、その基板面に形成された正三角形状の領域とその周囲の領域との間に段差を有する。そして、このIII-V族化合物半導体(111)A基板上に、分子線エピタキシー (MBE)法によりSiドープIII-V族化合物半導体層を成長させることにより、III-V族化合物半導体(111)A基板の平坦面でp型の伝導型を有し、上記段差により形成される斜面上でn型の伝導型を有する電流閉じ込め用の横方向p-n接合を形成し、この横方向p-n接合で活性層を取り囲んでいる。

Claim (excerpt)：

III-V族化合物半導体(111)A基板を用いた面発光素子であって、上記III-V族化合物半導体(111)A基板がその基板面に形成された正三角形状の領域とその周囲の領域との間に段差を有し、上記III-V族化合物半導体(111)A基板上に、分子線エピタキシー (MBE)法によりSiドープIII-V族化合物半導体層を成長させて形成した、上記III-V族化合物半導体(111)A基板の平坦面でp型の伝導型を有し、上記段差により形成される斜面上でn型の伝導型を有する電流閉じ込め用の横方向p-n接合で活性層を取り囲んだことを特徴とする面発光素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平3-057797
  
• 特開昭63-048980
  
• 特開平1-310386