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J-GLOBAL ID：200903084998540954

半導体材料のプラズマ除去法

Inventor： ジョン.ギルズ.ランガン ,  スコット.エドワード.ベック ,  ブライアン.スコット.フェルカー
Applicant, Patent owner： エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994175918
Publication number (International publication number)：1995153739
Application date： Jul. 05, 1994
Publication date： Jun. 16, 1995
Summary：

【要約】【目的】 より少量の三弗化窒素を利用しながら、より完全なエッチング洗浄を達成させることを目的とする。【構成】 本発明の方法はNF3を電気的陽性の希釈剤、好ましくはアルゴンと所定の濃度、圧力、流量及び出力で混合して用い可能な限りの最高のエッチング速度を達成する。加工される被膜のエッチング速度を、希釈剤中のNF3の濃度を適当な希釈剤を作業条件を選ぶことにより下げても増加させることが可能である。この方法はエッチング速度を上げることにより、この方法を用いる反応器の処理量を増大させるだけでなく、この仕事を低濃度のNF3で達成もでき結果として原価が安くなる。

Claim (excerpt)：

弗素と反応する半導体材料を表面からプラズマ除去する方法であって、半導体材料を約10乃至25%の三弗化窒素のプラズマと三弗化窒素より、更に電気的陽性の希釈剤の中で、約600乃至1,700mトルの範囲の圧力と、約0.4乃至1.4w/cm2の範囲の出力で接触させる工程からなる方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平3-120368