Pat

J-GLOBAL ID：200903084999072733

低密着性不導体材料のEMIシールド用部分めつき方法

Inventor： 佐藤 一也 ,  喜多 利行 ,  川岸 重光 ,  奥野 和義
Applicant, Patent owner： 奥野製薬工業株式会社
Agent (1)： 掛樋 悠路 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991302108
Publication number (International publication number)：1993140755
Application date： Nov. 18, 1991
Publication date： Jun. 08, 1993
Summary：

【要約】【目的】EMIシールドめっきを必要とする低密着性不導体材料上に、密着性に優れ且つ外観が良好なめっき被膜を得ること。【構成】低密着性不導体材料上のめっきを必要とする部分に塗料化された樹脂を塗布し、次いで無電解めっきを施すことを特徴とする低密着性不導体材料のEMIシールド用部分めっき方法。

Claim (excerpt)：

低密着性不導体材料上のめっきを必要とする部分に塗料化された樹脂を塗布し、次いで無電解めっきを施すことを特徴とする低密着性不導体材料のEMIシールド用部分めっき方法。

IPC (3)：

C23C 18/20 ,  C23C 18/31 ,  H05K 9/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-202478
  
• 特開平1-312080
  
• 特開平3-271375
  
• 特開平4-006277