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J-GLOBAL ID：200903085006218211

高分子電解質およびその製法

Inventor： クラウス,ヨアヒム ,  デッカーズ,グレゴアー ,  シュネラー,アルノルト ,  ヴィッテラー,ヘルムート
Applicant, Patent owner： ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
Agent (1)： 社本 一夫 (外5名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996528022
Publication number (International publication number)：1999502245
Application date： Mar. 05, 1996
Publication date： Feb. 23, 1999
Summary：

【要約】式(II)のスルホン化芳香族ポリエーテルケトン。(式中、O-フェニレン-CO単位の1ないし100%はSO3M基で置換され、スルホン化および未スルホン化のO-フェニレン-CO単位は相対的に所望の順序にあることが出来、基Ar、Ar′およびAr′′は互いに別個に置換または無置換の1,2-、1,3-または1,4-フェニレン環であり、またMは、イオン原子価を考慮に入れて、下記の基:H、NR4+(式中、RはHまたはC1-C4アルキル)、またはアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属、またはVIII亜族よりの金属から選ばれる1種以上の元素を含み、好ましくはH、NR4+、Li,Na、K、Ca、Mg、FeまたはPtである。)

Claim (excerpt)：

式(II)のスルホン化芳香族ポリエーテルケトン。[Ar-O-Ar’-CO-Ar’-O-Ar-CO-Ar”-CO-](II)(式中、O-フェニレン-CO単位の1ないし100%はSO3M基で置換され、スルホン化および未スルホン化のO-フェニレン-CO単位は相対的に所望の順序にあることができ、基Ar、Ar′およびAr′′は互いに別個に置換または未置換の1,2-、1,3-または1,4-フェニレン環であり、またMは、イオン原子価を考慮に入れて、下記の基:H、NR4+(式中、RはHまたはC1-C4アルキル)またはアルカリ金属もしくはアルカリ土類金属またはVIII亜族からの金属から選ばれた1種以上の元素を含み、好ましくはH、NR4+、Li、Na、K、Ca、Mg、FeまたはPtである。)

IPC (9)：

C08G 65/38 ,  B01D 71/06 ,  C08G 65/48 ,  C08G 67/00 ,  C08L 71/10 ,  H01B 1/12 ,  H01M 6/18 ,  H01M 8/02 ,  H01M 10/40

FI (9)：

C08G 65/38 ,  B01D 71/06 ,  C08G 65/48 ,  C08G 67/00 ,  C08L 71/10 ,  H01B 1/12 Z ,  H01M 6/18 E ,  H01M 8/02 P ,  H01M 10/40 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 高分子電解質及びその調製法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-140894   Applicant：ヘキスト・アクチェンゲゼルシャフト
• 特開昭61-115954
  
• 特開昭61-115954
  
• 特開昭61-115954