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J-GLOBAL ID：200903085009662627
記憶装置
Inventor：
,
,
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤島 洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004037861
Publication number (International publication number)：2005229015
Application date： Feb. 16, 2004
Publication date： Aug. 25, 2005
Summary：
【課題】 書き込んだデータを安定に保持することができると共に、少ない電流でデータの書き込み等を行うことができる記憶装置を提供する。【解決手段】 電極11と電極12との間に電極間物質層13が挟持され、電極12と電極間物質層13との界面にはピンホール14Aを有する電子等授受バリア層14が形成されている。書き込み電圧を印加すると、酸化還元活性種を含む電極11側から活性種がイオン化して溶出し、電極12方向へ移動した後、電極12側から電子を受け取って析出し、電極11と電極12との間に伝導径路16が形成される。伝導径路16は、ピンホール14Aに対応した狭い領域に形成され、電子等授受バリア層14が存在しない従来構造に比べて、内部における析出した酸化還元活性種の濃度が高くなり、書き込み後の時間経過によらずほぼ一定の抵抗値を保持する。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
第1電極と、前記第1電極に対向配置された第2電極と、前記第1電極と第2電極との間に設けられた、電子またはイオンの伝導可能な電極間物質層と、前記第1電極と第2電極との間に所定の電圧を印加する電圧印加手段とを備えると共に、前記第1電極または前記第2電極または前記電極間物質層の内部若しくはその表面に酸化還元反応活性物質を含み、前記第1の電極および第2の電極への電圧印加により前記第1の電極と前記第2の電極との間の電気的な特性が変化し情報の記録が行われる記憶装置であって、
前記第2電極と前記電極間物質層との間の界面領域に、電子またはイオンの伝導度が前記電極間物質層よりも小さな第1の領域と、電子またはイオンの伝導度が前記第1の領域よりも大きく電子またはイオンの授受可能な第2の領域とを有する電子等授受バリア層
を備えたことを特徴とする記憶装置。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (6)：
5F083FZ10
, 5F083JA02
, 5F083JA37
, 5F083JA39
, 5F083JA60
, 5F083PR33
Cited by applicant (1)
Cited by examiner (2)
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