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J-GLOBAL ID：200903085015052830
X線マスクおよびX線マスクの製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
木村 高久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993155486
Publication number (International publication number)：1995130605
Application date： Jun. 25, 1993
Publication date： May. 19, 1995
Summary：
【要約】【目的】 電子ビーム照射によるチャージアップを防止して、検査精度を高め高精度で信頼性の高いX線露光マスクを提供するとともに、アライメント光の検出信号の背景ノイズによるアライメント精度の低下を防ぐ。【構成】 本発明の第1では、X線透過性薄膜上に形成されたX線吸収体薄膜パターン上に形成され、膜厚dが次式を満たすように形成された酸化アルミニウム膜を配設し、これが反射防止膜として機能するようにしている。d=λ(2m-1)/4ncosθn:酸化アルミニウムの屈折率λ:アライメント光の波長m=1,2,3......θ:アライメント光がX線吸収体パターンに入射するときの鉛直方向からの角度
Claim (excerpt)：
X線透過性薄膜上に形成されたX線吸収体薄膜パターンと、前記X線吸収体薄膜パターン上に形成され、膜厚dが次式を満たすように形成された酸化アルミニウム膜とを具備したことを特徴とするX線マスク。d=λ(2m-1)/4ncosθn:酸化アルミニウムの屈折率λ:アライメント光の波長m=1,2,3......θ:アライメント光がX線吸収体パターンに入射するときの鉛直方向からの角度
IPC (2)：
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