Pat

J-GLOBAL ID：200903085022901797

磁気抵抗効果型記憶素子及び強誘電体効果型記憶素子

Inventor： 森田 清之 ,  小田川 明弘 ,  飯島 賢二 ,  大塚 隆
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000046900
Publication number (International publication number)：2001237388
Application date： Feb. 24, 2000
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果型記憶素子等においては、メモリセルに流れる電流の違いを一旦電圧に変換するステップが必要となり、今後微細化に伴う低電源電圧化が進行すると、読み出す電流の差が小さくなり、動作マージンが低下して読み出しが困難になり、最悪の場合、誤動作を引き起こす。【解決手段】 磁気抵抗効果素子の強磁性層に交換結合型フェリ磁性層あるいは非晶質層と界面磁性層を用いることにより、反磁界を小さくする。可変抵抗素子と負性抵抗素子とを巧みに組み合わせることにより、メモリセルに流れる電流の違いを直接電圧に変換することを可能とし、消費電力、動作速度の面で高性能の記憶素子を実現してこの課題を解決する。

Claim (excerpt)：

第1の抵抗素子と、第2の抵抗素子と、電界効果トランジスタからなる記憶素子であって、前記第1の抵抗素子と前記第2の抵抗素子とが直列に接続されており、かつその接続部が前記電界効果トランジスタのゲート電極と接続されていることを特徴とする記憶素子。

IPC (6)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 491 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  G11C 11/22 ,  H01L 43/08

FI (7)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 27/10 491 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  G11C 11/22 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/08 A

F-Term (3)：

5F083FR00 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA21