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J-GLOBAL ID：200903085025915683

高密度ITOターゲットの製造方法

Inventor： 一安 六夫
Applicant, Patent owner： 日立金属株式会社 ,  株式会社安来精密
Agent (1)： 大場 充
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992042870
Publication number (International publication number)：1993239632
Application date： Feb. 28, 1992
Publication date： Sep. 17, 1993
Summary：

【要約】【目的】 スパッタ電圧や膜生成速度の安定および良好な生成薄膜のエッチング性等、長寿命をもたらす高密度ITOターゲットの経済的な製造方法の提供。【構成】 原料粉末を500°C以上、70MPa以上の昇温・圧力下で圧密した後、1350°C以上の温度で焼成する。

Claim (excerpt)：

In2O3,SnO2を主成分とするITOスパッタリングターゲットの製造方法において、原料粉末を500°C以上、70MPa以上の昇温・圧力下で圧密する工程を包含することを特徴とする高密度ITOターゲットの製造方法。