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J-GLOBAL ID:200903085031209189
オーミツク電極
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
福森 久夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1991257086
Publication number (International publication number):1993067605
Application date: Sep. 09, 1991
Publication date: Mar. 19, 1993
Summary:
【要約】【目的】 製作工程における再現性、均一性を向上させることのできるオーミック電極構造を提供することを目的とする。【構成】 pまたはn型に高濃度ドーピングされた半導体の表面上に、高濃度ドーピングされた前記半導体とオーミック性の接合を形成する金属と、前記半導体を溶解しうるエッチング液に対し負の電位を有する金属とが積層して構成されていることを特徴とする。
Claim (excerpt):
pまたはn型に高濃度ドーピングされた半導体の表面上に、高濃度ドーピングされた前記半導体とオーミック性の接合を形成する金属と、前記半導体を溶解しうるエッチング液に対し負の電位を有する金属とが積層して構成されていることを特徴とするオーミック電極。
IPC (4):
H01L 21/306
, H01L 29/46
, H01L 21/338
, H01L 29/812
Patent cited by the Patent: