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J-GLOBAL ID：200903085038374592

極低温装置

Inventor： 磯上 尚志 ,  佐保 典英 ,  根本 武夫
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995023700
Publication number (International publication number)：1996222429
Application date： Feb. 13, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：

【要約】【構成】寒冷発生機に膨張機1を使用し、少なくとも一つの膨張弁を設けた冷凍機で生成した、低温のヘリウムガスを冷却配管16cに流し、冷却配管16cと超電導磁石の磁石枠25とを熱的に接触させることによって超電導磁石の冷却を行う。【効果】液体ヘリウムタンクが不必要であるため構造が簡素であるだけでなく、比較的大きな磁石でもほぼ均一な温度に冷却できる。

Claim (excerpt)：

被冷却体と,前記被冷却体を冷却するための冷却手段と,前記被冷却体及び前記冷却手段を内装する断熱真空容器で構成され、前記被冷却体は前記冷却手段内を循環する冷媒流路外に位置し、前記被冷却体と前記冷却手段とが熱的に接触した直冷式の極低温装置において、前記冷却手段が、予冷用の寒冷発生回路と,循環する冷媒の流路となる配管と,配管を内蔵した一連の熱交換器と,冷媒を循環させるための冷媒循環駆動手段とから成り、低温の冷媒が流れる配管の少なくとも一部が、前記被冷却体と熱的に接触していることを特徴とする極低温装置。

IPC (5)：

H01F 6/04 ZAA ,  C01B 23/00 ,  F25B 9/00 395 ,  F25B 9/02 ,  H01L 39/04 ZAA

FI (5)：

H01F 7/22 ZAA G ,  C01B 23/00 A ,  F25B 9/00 395 Z ,  F25B 9/02 C ,  H01L 39/04 ZAA