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J-GLOBAL ID：200903085042883450

電界発光デバイス

Inventor： シイン チェン ,  チャンミン シー
Applicant, Patent owner： イーストマン コダック カンパニー
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001178712
Publication number (International publication number)：2002093582
Application date： Jun. 13, 2001
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】高分子ELデバイスに有用な発光性高分子材料、及びエネルギーバンドギャップの種類が多く発色範囲が広い発光性高分子を提供する。【解決手段】アノード、カソード及び、当該アノードと当該カソードとの間に配置された高分子発光材料を含んで成り、当該高分子発光材料が下記構造式で表されるジフェニルアントラセン系共役ポリマーを含むことを特徴とする電界発光デバイス。【化1】

Claim (excerpt)：

アノード、カソード及び、当該アノードと当該カソードとの間に配置された高分子発光材料を含んで成り、当該高分子発光材料が下記構造式で表されるジフェニルアントラセン系共役ポリマーを含むことを特徴とする電界発光デバイス。【化1】(上式中、置換基R1、R2、R3及びR4は、各々独立に、水素、炭素原子数1〜24のアルキル基もしくはアルコキシ基、炭素原子数6〜28のアリールもしくは置換アリール基、又は炭素原子数4〜40のヘテロアリールもしくは置換ヘテロアリール基を表し、R5及びR6は、各々独立に、水素、炭素原子数1〜24のアルキル基、炭素原子数6〜28のアリールもしくは置換アリール基、炭素原子数4〜40のヘテロアリールもしくは置換ヘテロアリール基、又はシアノ基を表し、そしてArは、炭素原子数6〜40のアリールもしくは置換アリール基、又は炭素原子数4〜40のヘテロアリールもしくは置換ヘテロアリール基を表す。)

IPC (3)：

H05B 33/14 ,  C08G 16/02 ,  C09K 11/06 680

FI (3)：

H05B 33/14 B ,  C08G 16/02 ,  C09K 11/06 680

F-Term (11)：

3K007AB03 ,  3K007AB04 ,  3K007CA01 ,  3K007CB01 ,  3K007DA00 ,  3K007DB03 ,  3K007EB00 ,  3K007FA01 ,  4J033GA01 ,  4J033GA11 ,  4J033GA12