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J-GLOBAL ID：200903085055176680

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 三澤 秀樹
Applicant, Patent owner： セイコーエプソン株式会社
Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992333232
Publication number (International publication number)：1994181293
Application date： Dec. 14, 1992
Publication date： Jun. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】MOS型高電圧用トランジスタを有するFLASH EEPROM等の半導体装置において通常トランジスタの駆動能力を落すことなく、高電圧用トランジスタのジャンクション耐圧と動作耐圧を高く維持できる構造および製造方法を提供する。【構成】高電圧用トランジスタのサイドウォール絶縁膜の幅を通常トランジスタのサイドウォール絶縁膜の幅より広くすることにより、高電圧用トランジスタのドレインとソースのオフセット長を通常トランジスタのドレインとソースのオフセット長より長くする。

Claim (excerpt)：

MOS型トランジスタを有する半導体装置において、前記MOS型トランジスタのサイドウォール絶縁膜の幅が異なっているMOS型トランジスタを有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/088 ,  H01L 29/784 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3)：

H01L 27/08 102 A ,  H01L 29/78 301 C ,  H01L 29/78 371