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J-GLOBAL ID：200903085056157310

光導波路,半導体レーザ・導波路集積装置,半導体レーザ・導波路・フォトダイオード集積装置,半導体レーザ・導波路・モード整合集積装置,モード整合素子,及びその製造方法

Inventor： 木村 達也 ,  鴫原 君男 ,  武本 彰 ,  三井 茂
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994303569
Publication number (International publication number)：1996107253
Application date： Dec. 07, 1994
Publication date： Apr. 23, 1996
Summary：

【要約】【構成】 n-GaAs基板1上に、MQW活性層3を含む半導体層をエピ成長したのち、イオン注入を行ってMQW構造をディスオーダし、ディスオーダーされていないMQW層3を光導波路とすることにより、この光導波路と半導体レーザとが一体的に形成された半導体レーザ・導波路集積装置を得る。【効果】 埋め込み型,リッジ型の光導波路に比し、エッチング工程,埋め込み成長工程がなく、1回の結晶成長で済むため、その作製が飛躍的に容易となる。また、プレーナ構造となるため、加工精度を大きく向上できる。

Claim (excerpt)：

1つ以上の量子井戸層を有する光導波路において、上記量子井戸層はその上下が、上記量子井戸層よりも小さい屈折率をもつクラッド層で挟まれ、上記量子井戸層の光を導波する部分は両側を,その上記量子井戸層の無秩序化(ディスオーダー)により低屈折率化されたクラッド部で挟まれていることを特徴とする光導波路。

IPC (5)：

H01S 3/18 ,  G02B 6/122 ,  G02F 1/025 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/15

FI (2)：

G02B 6/12 A ,  H01L 21/265 W