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J-GLOBAL ID：200903085062249146

半導体装置

Inventor： 西野 友規
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991300612
Publication number (International publication number)：1993136332
Application date： Nov. 15, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】【目的】 占有面積に対する集積密度を高くし、配線密度を低くできる半導体装置を得る。【構成】 第1の半導体チップ7から引き出された第1のフィルムキャリアテープ1の第1のアウターリード10をコの字状に折り曲げ、第1のベースフィルム2に対向するように貼り合わせ、第1のベースフィルム2に上に形成された裏面パターン15に第2の半導体チップ17を接続した第2のアウターリード21の一部を接合する。

Claim (excerpt)：

第1のフィルムキャリアテープに第1の半導体チップを電気的に接続し、前記第1のフィルムキャリアテープのベースフィルムに開口を設けた第1の半導体装置と、別体の第2のフィルムキャリアテープに第2の半導体チップを電気的に接続し、前記第2のフィルムキャリアテープのアウターリードの一部をコの字状に折り曲げ、ベースフィルムを対向するように貼り合わせた第2の半導体装置を、前記開口において合金接合し、樹脂封止したことを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/28 ,  H01L 23/50