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J-GLOBAL ID：200903085064182103
半導体レーザ装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
加藤 朝道
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997110284
Publication number (International publication number)：1998290052
Application date： Apr. 11, 1997
Publication date： Oct. 27, 1998
Summary：
【要約】【課題】高出力レーザ等の長共振器レーザ装置において、小型化を図り、組み立ての際に発生する熱応力歪による半導体レーザ装置の特性変動あるいは破損が生じるのを防ぐ半導体レーザ装置の提供。【解決手段】利得を有する導波路24を、Y分岐導波路と曲線導波路および直線導波路で構成し、少なくとも1つのHR端面21を用いることにより半導体レーザ素子内で利得を有する導波路24を折り返す構造とする。これにより、実際の半導体レーザ装置の共振器長の約2倍の利得を有する導波路長を得て、長い利得を有する導波路長が必要となる高出力レーザにおいても半導体レーザ装置を小型化することができるため、組み立ての際の熱応力歪による特性変動、チップの破損を防ぐことができる。
Claim (excerpt)：
電流注入によって発振させる半導体レーザ装置において、利得を有する導波路が、少なくとも1つのY分岐導波路、曲線導波路および直線導波路から構成され、光出射側の端面において一方の分岐側には低反射膜を備え、他方の分岐側に反射機構を備え、前記光出射側端面と対向する他方端面に高反射膜を備えていることを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
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