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J-GLOBAL ID：200903085065373875

薄片単結晶の加工方法

Inventor： 井上 雄二 ,  岡戸 茂男 ,  小見 忠雄
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 須山 佐一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991345723
Publication number (International publication number)：1993177537
Application date： Dec. 27, 1991
Publication date： Jul. 20, 1993
Summary：

【要約】【目的】 厚さ 100μm 以下の薄片単結晶を、高品質かつ高歩留りで、さらに効率よく両面ポリッシング加工することを可能にした薄片単結晶の加工方法を提供する。【構成】 厚さ 100μm 以下の薄片単結晶ウエハ6の両面を、同時にポリッシング加工する方法である。薄片単結晶ウエハ6を保持するキャリヤとして、繊維強化耐熱性樹脂からなるガイド部材5を挿入配置した金属製キャリヤ1を用いる。薄片単結晶ウエハ6は、ガイド部材5を介して金属製キャリヤ10内に配置する。この状態で薄片単結晶ウエハ6の両面ポリッシング加工を行う。

Claim (excerpt)：

厚さ 100μm 以下の薄片単結晶の両面を、同時にポリッシング加工するにあたり、金属製キャリヤ内に、繊維強化耐熱性樹脂からなるガイド部材を介して、前記薄片単結晶を配置し、この状態で両面ポリッシング加工を行うことを特徴とする薄片単結晶の加工方法。

IPC (3)：

B24B 37/04 ,  B24B 7/17 ,  C30B 33/00