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J-GLOBAL ID:200903085066341047

アナログ相変化メモリ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 伊東 忠彦 ,  大貫 進介 ,  伊東 忠重
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2006522571
Publication number (International publication number):2007501521
Application date: Jul. 12, 2004
Publication date: Jan. 25, 2007
Summary:
相変化材料を使ってアナログメモリを形成することができる。相変化材料は複数の抵抗状態のうちの一つをとり、それが保存すべき特定のアナログ特性を定義する。
Claim (excerpt):
相変化材料を使ってアナログメモリを形成する、 ことを含むことを特徴とする方法。
IPC (3):
H01L 27/105 ,  G11C 13/00 ,  H01L 45/00
FI (3):
H01L27/10 448 ,  G11C13/00 A ,  H01L45/00 A
F-Term (4):
5F083FZ10 ,  5F083JA60 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 特表平6-509909

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