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J-GLOBAL ID:200903085066341047
アナログ相変化メモリ
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2006522571
Publication number (International publication number):2007501521
Application date: Jul. 12, 2004
Publication date: Jan. 25, 2007
Summary:
相変化材料を使ってアナログメモリを形成することができる。相変化材料は複数の抵抗状態のうちの一つをとり、それが保存すべき特定のアナログ特性を定義する。
Claim (excerpt):
相変化材料を使ってアナログメモリを形成する、
ことを含むことを特徴とする方法。
IPC (3):
H01L 27/105
, G11C 13/00
, H01L 45/00
FI (3):
H01L27/10 448
, G11C13/00 A
, H01L45/00 A
F-Term (4):
5F083FZ10
, 5F083JA60
, 5F083LA04
, 5F083LA05
Patent cited by the Patent:
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