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J-GLOBAL ID：200903085073006890

薄膜形成装置のクリーニング方法

Inventor： 毛利 勇 ,  藤井 正 ,  中川 伸介 ,  新井 博通
Applicant, Patent owner： セントラル硝子株式会社
Agent (1)： 坂本 栄一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993242365
Publication number (International publication number)：1995099174
Application date： Sep. 29, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】 薄膜形成装置の目的物以外の装置内壁や治具等に堆積した堆積物(タングステン、タングステンシリサイド、炭化タングステン、チタン、窒化チタン、炭化チタン、シリコン、ゲルマニウム、窒化珪素、酸化窒化珪素、タンタル、酸化タンタル、モリブデン、モリブデンシリサイド、レニウム、レニウムシリサイド)を除去する。【構成】 三フッ化窒素にフッ素を添加した混合ガス組成物により、150〜600°Cの温度範囲で反応除去する。

Claim (excerpt)：

三フッ化窒素にフッ素を添加した混合ガス組成物により、タングステン、タングステンシリサイド、炭化タングステン、モリブデン、モリブデンシリサイド、レニウム、レニウムシリサイド、チタン、窒化チタン、炭化チタン、タンタル、酸化タンタル、窒化珪素、シリコン、酸化窒化珪素、ゲルマニウムを150〜600°Cの温度範囲で反応除去することを特徴とする薄膜形成装置のクリーニング方法。

IPC (4)：

H01L 21/304 341 ,  B08B 7/00 ,  H01L 21/285 ,  C11D 3/02