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J-GLOBAL ID：200903085073251185

フラーレン含有レジスト材料を用いたデバイス作製プロセス

Inventor： チャン-ベオム エオム ,  アーサー フォスター ヘバード ,  グレゴリー ピーター コチャンスキー
Applicant, Patent owner： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
Agent (1)： 岡部 正夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994051493
Publication number (International publication number)：1995134413
Application date： Mar. 23, 1994
Publication date： May. 23, 1995
Summary：

【要約】【目的】 本発明はデバイス作製のためのリソグラフィープロセスにおけるフラーレン含有レジスト材料の使用に関する。【構成】 レジスト材料は、基板上に乾式方式で堆積させ、基板上に薄膜を形成する。レジスト薄膜の部分を選択的に露出し、それにより像を形成し、多くの方法を用いて現像することによって、パターンがレジスト薄膜中に導入される。次に、パターンは反応性イオンエッチング又は他の許容しうる技術により、基板中に転写される。

Claim (excerpt)：

基板上にフラーレン含有レジスト材料を含む像形成層を堆積する工程;第1の気体の存在下で、像形成層の一部を、放射に露出させ、それにより像形成層上にパターンを規定する露出された領域及び露出されない領域が形成される工程;及び像形成層中にパターンを現像する工程を含むデバイス作製プロセス。

IPC (5)：

G03F 7/038 505 ,  C08K 3/04 KAB ,  C08L101/00 LTB ,  G03F 7/004 501 ,  H01L 21/027