Pat

J-GLOBAL ID：200903085074407235

薄膜太陽電池の製造方法

Inventor： 藤掛 伸二
Applicant, Patent owner： 株式会社富士電機総合研究所
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994051480
Publication number (International publication number)：1995263728
Application date： Mar. 23, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】【目的】a-Siによりp-i-n接合を形成するためにn層の上にi層を成膜した場合に、i層中に拡散した燐の影響を硼素による中性化により取り除く。【構成】n層形成後、その表面に硼素を含むガスを接触させて硼素を付着させ、そのあとi層を形成すると、硼素が燐と相似の濃度プロファイルを示して中性化を行うことができ、キャリアの収集効率が向上する。

Claim (excerpt)：

n層、i層、p層の順に形成したシリコンを主成分とする非晶質材料を主体とするp-i-n接合を有する薄膜太陽電池の製造方法において、n層の形成後にその表面に硼素を付着させたのちi層を形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭62-200773
  
• 特開昭61-194880