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J-GLOBAL ID：200903085079968065

ポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法

Inventor： 小林 和好 ,  木村 忠之
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 山口 邦夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992016853
Publication number (International publication number)：1993218423
Application date： Jan. 31, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】ON電流の飽和現象を起こさず、ターンオン特性を改善し得るポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】絶縁基板11上に形成されるポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法であって、上記絶縁基板11上にゲート電極12、ゲート絶縁膜13を順次形成する工程、上記ゲート絶縁膜13上にポリシリコン膜14を形成した後、該ポリシリコン膜14のチャネル領域14cにのみ酸素プラズマを照射する工程、上記ポリシリコン膜14上及び上方に層間絶縁膜17を形成する工程、上記層間絶縁膜17上にプラズマシリコン窒化膜19を形成する工程、を含む。

Claim (excerpt)：

絶縁基板上に形成されるポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法であって、前記絶縁基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜を順次形成する工程、前記ゲート絶縁膜上にポリシリコン膜を形成した後、該ポリシリコン膜のチャネル領域にのみ酸素プラズマを照射する工程、前記ポリシリコン膜上及び上方に層間絶縁膜を形成する工程、前記層間絶縁膜上にプラズマシリコン窒化膜を形成する工程、を含むことを特徴とするポリシリコン薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/318