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J-GLOBAL ID：200903085106373710

有機発光ダイオ-ドとモノリシックに集積化された薄膜トランジスタ

Inventor： ゼナン バオ ,  アナンス ドダバラプア ,  ハワード イーダン カッツ ,  ヴェンカタラム レディ ラジュ ,  ジョン エー.ロジャース
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
Agent (1)： 岡部 正夫 (外11名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999148990
Publication number (International publication number)：2000029403
Application date： May. 28, 1999
Publication date： Jan. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】 本発明は、有機発光ダイオードとモノリシックに集積化された薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 1ないし複数の薄膜トランジスタが、発光ダイオードとモノリシックに集積化されたデバイスが、明らかにされている。薄膜トランジスタは、有機半導体層をもつ。デバイスは薄膜トランジスタと発光ダイオードの基板上への作製を集積化し、低価格作製技術を用いることにより、経済的に作製される。

Claim (excerpt)：

発光ダイオードは陽極、陰極及び陽極と陰極にはさまれた発光材料から成る少くとも1つの能動層を含み、薄膜トランジスタはソースからドレインへ流れる電流が、半導体材料を貫いてソースからドレインへ流れるように、ソース及びドレイン間に配置された半導体材料を含み、薄膜トランジスタ及び発光ダイオードが単一の一体となった基板上に形成され、薄膜トランジスタ及び発光ダイオードの能動層の少くとも1つの半導体材料は、有機材料である少くとも1個の薄膜トランジスタとモノリシックに集積化された発光ダイオードを含むデバイス。

IPC (4)：

G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/26

FI (4)：

G09F 9/30 338 ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/26 Z ,  H01L 29/78 613 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 発光ダイオ-ド装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-113536   Applicant：キヤノン株式会社
• 特開昭59-171189
  
• 特開昭59-171189