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J-GLOBAL ID：200903085119509239
発光ダイオ-ド用エピタキシャルウエハの製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
中島 正
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993079018
Publication number (International publication number)：1994268256
Application date： Mar. 13, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：
【要約】【目的】気相エピタキシャル成長時における過剰補償を発生せしめることなくPN接合せしめ、これより発光する光を非常に効率よく外部に取り出すことが出来る橙色・黄色などの発光ダイオ-ド用エピタキシャルウエハの製造方法を提供するにある。【構成】 GaP単結晶基板上にPN接合を有するGaAs1-xPx(ここで、0.4≦X≦0.9)単結晶層を気相エピタキシャル成長させる発光ダイオ-ド用エピタキシャルウエハの製造方法において、窒素原子を含まないN型エピタキシャル単結晶層上に窒素原子を含む低濃度N型エピタキシャル単結晶層と、窒素原子を含む低濃度P型エピタキシャル単結晶層と、窒素原子を含まない高濃度P型エピタキシャル単結晶層とを順次積層状に成長させるようにしたものである。
Claim (excerpt)：
GaP単結晶基板上にPN接合を有するGaAs1-xPx(ここで、0.4≦X≦0.9)単結晶層を気相エピタキシャル成長させる発光ダイオ-ド用エピタキシャルウエハの製造方法において、窒素原子を含まないN型エピタキシャル単結晶層上に窒素原子を含む低濃度N型エピタキシャル単結晶層と、窒素原子を含む低濃度P型エピタキシャル単結晶層と、窒素原子を含まない高濃度P型エピタキシャル単結晶層とを順次積層状に成長させることを特徴とする発光ダイオ-ド用エピタキシャルウエハの製造方法。
IPC (2)：
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