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J-GLOBAL ID：200903085123299664
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青木 朗 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991236463
Publication number (International publication number)：1993074751
Application date： Sep. 17, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置の製造方法に関し、半導体表面を炭素や酸素等の不純物の付着が少なく、且つ準安定なものとして半導体装置を製造できる方法の提供を目的とする。【構成】 過酸化水素1モル当りのアンモニア量が180モルを超える混合水溶液で半導体基板表面を清浄化処理する工程を含む。
Claim (excerpt)：
半導体基板表面を、過酸化水素1モル当りのアンモニア量が180モルを超える混合水溶液で清浄化処理する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/205
