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J-GLOBAL ID：200903085137074584

誘電体薄膜および誘電体薄膜を用いた薄膜EL素子

Inventor： 井ノ口 和宏 ,  内田 智也 ,  服部 有 ,  伊藤 信衛 ,  服部 正 ,  野田 浩司 ,  藤川 久喜 ,  時任 静士 ,  多賀 康訓
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー ,  株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 伊藤 洋二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996173700
Publication number (International publication number)：1997115671
Application date： Jul. 03, 1996
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】 薄膜EL素子における絶縁層の誘電特性を改善するとともに、ITOでの電気抵抗の上昇を防止する。【解決手段】 絶縁基板11上に、ITOからなる第1透明電極12、第1絶縁層13、発光層14、第2絶縁層15、ITOからなる第2透明電極16が順次積層形成された薄膜EL素子300において、第1、第2絶縁層13、15として、タンタルと、錫と、酸素と、窒素のそれぞれの元素からなるTaSnON膜を用いた。

Claim (excerpt)：

タンタルと、インジウムおよび錫の少なくとも1種と、酸素と、窒素のそれぞれの元素からなり、アモルファス状態の薄膜であることを特徴とする誘電体薄膜。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平2-161629
  
• 特開平3-005929