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J-GLOBAL ID：200903085140786226

半導体レーザ

Inventor： 内田 徹
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994048870
Publication number (International publication number)：1995263791
Application date： Mar. 18, 1994
Publication date： Oct. 13, 1995
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 高い特性温度を実現することのできる1μm帯半導体レーザを提供する、及び光変換効率の高い半導体レーザを提供する。【構成】 発光を行なう活性層5と、活性層を挟み、活性層より大きなバンドギャップを有するガイド層6と、ガイド層の両側を挟み、ガイド層よりも大きなバンドギャップを有するクラッド層7とを含むレーザ構造を有し、GaAsの格子定数をa1、InPの格子定数をa2とした時、ガイド層とクラッド層の格子定数がa1よりも0.5%以上大きく、a2よりも0.5%以上小さく、活性層が、その他の層の格子定数と異なる格子定数を有し、その膜厚が少なくとも単原子層の膜厚以上臨界膜厚以下である。

Claim (excerpt)：

発光を行なう活性層(5)と、活性層を挟み、活性層より大きなバンドギャップを有するガイド層(6)と、ガイド層(6)の両側を挟み、ガイド層よりも大きなバンドギャップを有するクラッド層(7)とを含むレーザ構造を有し、GaAsの格子定数をa1、InPの格子定数をa2とした時、ガイド層(6)とクラッド層(7)の格子定数がa1よりも0.5%以上大きく、a2よりも0.5%以上小さく、活性層(5)が、前記レーザ構造内のその他の層の格子定数と異なる格子定数を有し、その膜厚が少なくとも単原子層の膜厚以上臨界膜厚以下である半導体レーザ。