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J-GLOBAL ID：200903085146187804

ドライエッチング方法

Inventor： 福田 誠一
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 高月 亨
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992223394
Publication number (International publication number)：1994097125
Application date： Jul. 30, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】 高選択比のエッチングを達成でき、しかもエッチング後の保護膜の除去が容易となるアルミニウム系材料のエッチング方法を提供する。【構成】 アルミニウム系材料層10を有する下地層を、該下地層上に選択的に形成されたレジストパターン8をマスクにエッチングするドライエッチング方法において、下地層のレジストパターンに接する部分にアンダカット14を入れた後、下地層を異方性エッチングする。

Claim (excerpt)：

アルミニウム系材料層を有する下地層を、該下地層上に選択的に形成されたレジストパターンをマスクにエッチングするドライエッチング方法において、前記下地層の前記レジストパターンに接する部分にアンダカットを入れた後、前記下地層を異方性エッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ,  H01L 21/3205