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J-GLOBAL ID：200903085157500717

縦型MOSFET装置とその製造方法

Inventor： 朝生 強
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 鈴木 敏明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992192207
Publication number (International publication number)：1994037323
Application date： Jul. 20, 1992
Publication date： Feb. 10, 1994
Summary：

【要約】【目的】 本発明は、縦型MOSFETを有する半導体装置に関するもので、エッチングによる結晶ダメージが残らず、ゲート領域の酸化膜厚を厚くでき、製造工程でのマスク数を減らし、ゲート、ソース領域をより縮小できる方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明は、ソース領域である拡散層111をゲート領域17の上側部に接して斜めに形成し、その下層と平坦部分にバックゲート領域110と113を形成するようにして、その平坦部分のバックゲート領域113表面と前記ソース領域111表面が配線金属114と接するように形成したものである。他の実施例としては、ソース領域も平坦にし、その一部を開口して、そこにバックゲート領域を埋め込むようにした。

Claim (excerpt)：

(a)第1導電型半導体基板上に、少なくとも第1の導電層と第1の絶縁膜を順に形成し、該第1の導電層と絶縁膜の所定位置に開口部を設ける工程、(b)前記開口部の側面に露出された前記第1の導電膜面に第2の絶縁膜を形成し、その開口部を第2の導電層で埋める工程、(c)前記開口部を埋めた第2導電層の上部を第3の絶縁膜にしてバーズビークができるよう形成し、前記開口部上側部の前記第1の絶縁膜を庇状にした後、前記第3の絶縁膜を除去する工程、(d)前記(c)工程で露出した前記第2の導電層上部に第4の絶縁膜を形成し、また同じく露出している前記第1の導電層表面に第2導電型の拡散層を形成し、該拡散層の表面にさらに第1導電型の拡散層を形成する工程、(e)残っている前記第1の絶縁膜を除去し、除去したあとに露出した前記第1の導電層表面に第2導電型の拡散層を形成する工程、(f)全面に配線金属を形成する工程、以上の工程を含むことを特徴とする縦型MOSFET装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2)：

H01L 29/78 321 V ,  H01L 29/78 321 P