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J-GLOBAL ID：200903085172337202

SOI型半導体基板およびその製造方法

Inventor： 高岡 松雄
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991218982
Publication number (International publication number)：1993055359
Application date： Aug. 29, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 SOI型半導体基板とその製造方法に関し、結晶欠陥の生じにくいSOI型半導体基板を提供することを目的とする。【構成】 所定温度以上の高温で処理された多結晶半導体基板と、前記多結晶半導体基板上に配置され、前記所定温度で応力を緩和できる粘性を示す絶縁物の膜と、前記絶縁物の膜上に配置された単結晶半導体層とを有する。

Claim (excerpt)：

所定温度以上の高温で処理された多結晶半導体基板(1)と、前記多結晶半導体基板上に配置され、前記所定温度で応力を緩和できる粘性を示す絶縁物の膜(2)と、前記絶縁物の膜上に配置された単結晶半導体層(3)とを有するSOI型半導体基板。

IPC (5)：

H01L 21/76 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/12