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J-GLOBAL ID：200903085176150220
位相シフトマスク及びその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
高橋 光男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993237408
Publication number (International publication number)：1995064274
Application date： Aug. 30, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】 製造裕度が広くとれる位相シフトマスクを提供する。【構成】 主パターンと補助パターンとを含む位相シフトマスクにおいて、補助パターンのシフタ材料が、制御された光透過率を有する材料として形成される。大きな幅の補助パターンにより、充分な主パターン内の光ピーク強度と、規定値以下の2次光ピーク強度とが得られ、パターン形成領域の解像度が向上する。大きな幅の補助パターンを採用することにより、マスクの製造裕度が大きくとれる。ハーフトーン位相シフトマスクに応用すると、半遮光膜の製造工程が省かれる。
Claim (excerpt)：
第一の光透過領域と、該第一の光透過領域に近接して配置され、該第一の光透過領域を透過した光と異なる位相を有する透過光を与える第二の光透過領域とを含む位相シフトマスクにおいて、前記第二の光透過領域を形成するシフタ材料が、制御された光透過率を有する材料から形成されることを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
