Pat

J-GLOBAL ID：200903085185282679

窒化物結晶基板の製造方法及び窒化物結晶基板

Inventor： 柴田 真佐知 ,  大島 祐一
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001320517
Publication number (International publication number)：2003128499
Application date： Oct. 18, 2001
Publication date： May. 08, 2003
Summary：

【要約】【課題】 クラックや反りの無い大型の窒化ガリウム単結晶基板が得られる窒化物結晶基板の製造方法及び窒化物結晶基板を提供する。【解決手段】 成長用基板8の上にIII族元素の窒化物結晶のエピタキシャル成長層9が形成された反りのある窒化物結晶基板6を、一旦、成長温度近傍まで加熱用ヒータで加熱すると共に台座2及びプレス板4の平行平面間に挟み、反りを矯正した状態で冷却することにより、反りの無い平坦な窒化物結晶基板6とすることができる。窒化物結晶基板6の反りをなくすことにより、成長用基板8の除去加工が容易になり、クラックや反りの無い大型のIII族窒化物結晶の自立基板が得られる。

Claim (excerpt)：

III族元素の窒化物結晶を成長用基板上でエピタキシャル成長させ、得られた窒化物結晶基板を上記窒化物結晶の成長温度近傍まで加熱すると共に反りを矯正するため平行平面の間に挟み、そのまま室温まで冷却することを特徴とする窒化物結晶基板の製造方法。

IPC (4)：

C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/205

FI (4)：

C30B 29/38 D ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/205

F-Term (26)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077FE10 ,  4G077FJ03 ,  4G077HA02 ,  4G077TA04 ,  4G077TB05 ,  4G077TK01 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030DA03 ,  4K030DA09 ,  4K030FA10 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB11 ,  5F045DB02 ,  5F045GH08