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J-GLOBAL ID：200903085188665560
化合物半導体受光装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998057705
Publication number (International publication number)：1999261099
Application date： Mar. 10, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】化合物半導体結晶表面に形成する絶縁膜の被着に伴う素子特性の劣化問題に対して、その改善に好適な構造の化合物半導体装置を提供する。【解決手段】化合物半導体結晶表面に外気からの保護膜として同一材料もしくは異なる材料からなる粒径の異なる2層以上の誘電体絶縁物薄膜を形成する。粒径の異なる膜を堆積することにより、それらの表面エネルギの相違がエネルギ障壁となって、外気から直接または誘電体膜等を介して吸着される水分が膜中を通過するのを妨げる。
Claim (excerpt)：
少なくとも1つのpn接合を有する化合物半導体受光装置において、この化合物半導体結晶表面に、2層以上の同一材料もしくは異なる材料の誘電体薄膜を被着させることによって結晶表面が保護されていることを特徴とする化合物半導体受光装置であって、上記誘電体薄膜の各々の層の粒径が異なることを特徴とする化合物半導体受光装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 31/10 A
, H01L 21/318 M
