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J-GLOBAL ID：200903085200626967

透明導電膜、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜付き基体

Inventor： 光井 彰
Applicant, Patent owner： 旭硝子株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998242176
Publication number (International publication number)：2000077358
Application date： Aug. 27, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】抵抗で耐擦傷性の高い酸化錫系透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲットの提供。【解決手段】Ga2 O3 とIn2 O3 とSnO2 との総量に対して、ガリウムをGa2 O3 換算で0.1〜30モル%含有し、かつインジウムをIn2 O3 換算で0.1〜30モル%含有する酸化錫系の透明導電膜とその製造方法およびスパッタリングターゲット。

Claim (excerpt)：

ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫系の透明導電膜であって、ガリウムをGa2 O3 に換算し、インジウムをIn2 O3 に換算し、錫をSnO2 に換算したとき、Ga2 O3 とIn2 O3 とSnO2 との総量に対して、ガリウムをGa2 O3 換算で0.1〜30モル%含有し、かつインジウムをIn2 O3 換算で0.1〜30モル%含有することを特徴とする透明導電膜。

IPC (3)：

H01L 21/285 ,  C23C 14/34 ,  G02F 1/1343

FI (3)：

H01L 21/285 S ,  C23C 14/34 A ,  G02F 1/1343

F-Term (18)：

2H092HA04 ,  2H092HA06 ,  2H092MA05 ,  2H092NA27 ,  2H092NA28 ,  2H092PA01 ,  4K029BA45 ,  4K029BA47 ,  4K029BA50 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4M104AA10 ,  4M104BB36 ,  4M104BB38 ,  4M104DD40 ,  4M104GG20 ,  4M104HH16