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J-GLOBAL ID：200903085214317355

窒化物化合物半導体結晶の製造方法及び窒化物化合物半導体結晶並びに半導体デバイス

Inventor： 森島 嘉克 ,  木原 倫夫 ,  土屋 忠厳
Applicant, Patent owner： 日立電線株式会社
Agent (1)： 絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001152853
Publication number (International publication number)：2002338399
Application date： May. 22, 2001
Publication date： Nov. 27, 2002
Summary：

【要約】【課題】 5×1018cm-3以上の高正孔濃度を有するp型の窒化物化合物半導体結晶の製造方法及び窒化物化合物半導体結晶並びに半導体デバイスを提供する。【解決手段】 p型の窒化ガリウム、p型の窒化アルミニウム、p型の窒化インジウムまたはこれらの混晶等の窒化物化合物半導体層を成長させる際に、マグネシウムとシリコンとを同時にドーピングすることにより、マグネシウムの原料とシリコンの原料とを予め電磁波RFで分解することなく最適な結晶成長条件で成長させることができるので、マグネシウムの濃度で8×1019cm-3を超えることなく、しかもアニールなど成長後の付加的な作業を必要とせずに5×1018cm-3以上の高正孔濃度を実現することができる。

Claim (excerpt)：

マグネシウムとシリコンとを同時にドーピングしてp型の窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウムまたはこれらの混晶等の窒化物化合物半導体結晶を製造する方法において、上記マグネシウムの原料ガスに対する上記シリコンの原料ガスのモル濃度比を5%以下にすることを特徴とする窒化物化合物半導体結晶の製造方法。

IPC (5)：

C30B 29/38 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (5)：

C30B 29/38 D ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

F-Term (42)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077HA02 ,  4K030AA06 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA38 ,  4K030CA05 ,  4K030FA10 ,  4K030JA06 ,  4K030LA14 ,  5F041AA21 ,  5F041CA02 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA05 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB37 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD14 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA60 ,  5F045EB13 ,  5F073CA02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29