半導体記憶装置および半導体記憶装置の読み出し回路、読み出し方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：金田暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000317993
Publication number (International publication number)：2002124586
Application date： Oct. 18, 2000
Publication date： Apr. 26, 2002
Summary：

【要約】【課題】トンネル絶縁膜の膜厚を3nm以下とすることにより高速・低電圧の揮発性動作等を実現しつつ、実用上充分な電荷保持能力を実現すること。【解決手段】トンネル絶縁膜104を3nm以下とする。また、ソース領域102のゲート電極側端部およびゲート電極のソース領域102側端部の間の距離x1、ドレイン領域103のゲート電極側端部およびゲート電極のドレイン領域103側端部の間の距離x2を、いずれも1〜20nmとする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板の表面近傍に離間して形成されたソース領域およびドレイン領域と、該ソース領域および該ドレイン領域との間に配置され、該半導体基板上にトンネリング絶縁膜を介して形成された、フローティングゲート、ブロック絶縁膜および制御ゲートがこの順で積層してなるゲート電極と、を備え、前記ゲート電極の下部に位置する前記トンネリング絶縁膜の膜厚が3nm以下であり、前記ソース領域およびドレイン領域は、前記ゲート電極直下の領域を含まないように形成されたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , G11C 16/06 , H01L 27/115 , H01L 27/10 481

FI (5)：

H01L 27/10 481 , H01L 29/78 371 , G11C 17/00 634 B , G11C 17/00 634 Z , H01L 27/10 434

F-Term (47)：

5B025AA03 , 5B025AB01 , 5B025AC01 , 5B025AD05 , 5B025AD11 , 5B025AE05 , 5B025AE07 , 5B025AE08 , 5F001AA09 , 5F001AA21 , 5F001AA62 , 5F001AB08 , 5F001AD12 , 5F001AE02 , 5F001AE08 , 5F001AG12 , 5F001AG22 , 5F083EP02 , 5F083EP14 , 5F083EP15 , 5F083EP23 , 5F083EP42 , 5F083EP43 , 5F083EP45 , 5F083ER09 , 5F083ER19 , 5F083ER21 , 5F083ER30 , 5F083GA01 , 5F083GA05 , 5F083GA09 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083LA03 , 5F083LA09 , 5F083PR12 , 5F083PR13 , 5F083PR36 , 5F101BA03 , 5F101BA24 , 5F101BA35 , 5F101BB05 , 5F101BD02 , 5F101BE05 , 5F101BE07 , 5F101BH04 , 5F101BH09

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