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J-GLOBAL ID：200903085219645407

半導体受光素子、半導体発光受光装置、およびその作製方法

Inventor： 古川 幸生
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 加藤 一男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000289653
Publication number (International publication number)：2002100799
Application date： Sep. 25, 2000
Publication date： Apr. 05, 2002
Summary：

【要約】【課題】応答速度、受光感度に優れ、アレイ化、および他のデバイスとの集積化が容易で、汎用性の高い半導体受光素子の実現である。【解決手段】半導体受光素子は、基板11上に、絶縁層23、光吸収層15、一対の対向電極17がこの順に積層されている。絶縁層17はAlを含んだ半導体層が酸化された構造からなり、光吸収層15が基板11側に対して電気的に絶縁されている。

Claim (excerpt)：

基板上に、絶縁層、光吸収層、一対の対向電極がこの順に積層されており、該絶縁層はAlを含んだ半導体層が酸化された構造からなることを特徴とする半導体受光素子。

IPC (5)：

H01L 31/108 ,  H01L 31/12 ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/183

FI (5)：

H01L 31/12 B ,  H01S 5/022 ,  H01S 5/026 ,  H01S 5/183 ,  H01L 31/10 C

F-Term (28)：

5F049MA05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NA19 ,  5F049NB01 ,  5F049PA14 ,  5F049RA07 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ16 ,  5F073AB12 ,  5F073AB17 ,  5F073BA01 ,  5F073BA09 ,  5F073CA04 ,  5F073CB02 ,  5F073CB22 ,  5F073CB23 ,  5F073DA21 ,  5F073DA27 ,  5F089AA01 ,  5F089AA06 ,  5F089AB08 ,  5F089AC02 ,  5F089AC07 ,  5F089AC08 ,  5F089CA12 ,  5F089CA20