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J-GLOBAL ID：200903085221142609

半導体装置

Inventor： 矢尾板 明弘
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993230631
Publication number (International publication number)：1995086559
Application date： Sep. 17, 1993
Publication date： Mar. 31, 1995
Summary：

【要約】【目的】コバルト、ニッケル、白金、パラジウムのシリサイドを用いた半導体装置において、簡便な方法でシリサイドの結晶の質を向上させることにより、凝集への耐性を増し、さらに微細なデバイスへの適用を可能にする。【構成】半導体装置において、シリコン上にコバルト又はニッケル又は白金又はパラジウムの金属膜を成膜し、その上部に連続して成膜する。この後、RTA方や炉アニール法を用いて600°C以上の熱処理を行い、前記金属膜とシリコンを反応させシリサイドに変化させる。この際生成されたシリサイドはその上部の薄膜との相互作用により、特定の配向性が生じ結晶の面方位の揃ったかつ平坦性のよい膜であるためデバイスの微細化に適する。

Claim (excerpt)：

シリコン基板上にまずコバルト又はニッケル又は白金又はパラジウムの金属膜、つづいて薄膜を連続して成膜する構造を用い、この構造を前記金属膜とシリコンが反応する温度で熱処理を行い、前記金属膜のケイ化物を得ることを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/43 ,  H01L 21/314

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• MOS集積回路上の自己整列珪化コバルト
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-039877   Applicant：ディジタルイクイプメントコーポレイション
• 特許第209308号