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J-GLOBAL ID：200903085226286200

半導体パルスレーザ装置およびその製造方法

Inventor： 松井 康浩 ,  荒平 慎 ,  小川 洋
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997021800
Publication number (International publication number)：1998223971
Application date： Feb. 04, 1997
Publication date： Aug. 21, 1998
Summary：

【要約】【課題】 ブラッグ波長の反射ピークの両側に現れる各反射ピークの強度を向上させる。【解決手段】 基板101上に利得領域121、可飽和吸収領域122およびブラッグ反射鏡領域123をそれぞれ形成してなる半導体パルスレーザ装置において、ブラッグ反射鏡領域123が、凹凸形成領域と平面領域とを所定間隔で繰り返してなるサンプルドグレーティング構造の回折格子105aを備える。

Claim (excerpt)：

基板上に利得領域、可飽和吸収領域およびブラッグ反射鏡領域をそれぞれ形成してなる半導体パルスレーザ装置において、前記ブラッグ反射鏡領域が、凹凸形成領域と平面領域とを所定間隔で繰り返してなるサンプルドグレーティング構造の回折格子を備えたことを特徴とする半導体パルスレーザ装置。