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J-GLOBAL ID：200903085243750734

半導体装置の製造方法

Inventor： 小水流 英昭
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992025612
Publication number (International publication number)：1993226535
Application date： Feb. 13, 1992
Publication date： Sep. 03, 1993
Summary：

【要約】【目的】 銅からなるリードフレームの表面処理方法を改良した半導体装置の製造方法に関し、簡単且つ容易に行えるリードフレームのクリーニング処理により、リードフレームの表面を樹脂封止に適した状態にすることが可能となる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。【構成】 樹脂封止型半導体装置の製造に用いる銅からなるリードフレームを、このリードフレームの表面の脆い酸化膜を除去し、リードフレームの母材との結合力が強固で、かつ封止樹脂に対しては活性で封止樹脂との密着性の良好な酸化膜を形成することが可能な、空気の1Torr〜10-3Torrの雰囲気中か或いはヘリウムガスの1Torr〜10-3Torrの雰囲気中でプラズマ処理するように構成する。

Claim (excerpt)：

樹脂封止型半導体装置の製造に用いる銅からなるリードフレーム(8) を、該リードフレーム(8) の表面の脆い酸化膜を除去し、リードフレームの母材との結合力が強固で、かつ封止樹脂に対しては活性で封止樹脂との密着性の良好な酸化膜を形成することが可能なように、空気の1Torr〜10-3Torrの雰囲気中でプラズマ処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 23/50 ,  H01L 21/302