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J-GLOBAL ID：200903085247796496

光デバイスの製造方法

Inventor： 竹村 浩二 ,  勝田 洋彦
Applicant, Patent owner： 京セラ株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995105313
Publication number (International publication number)：1996304863
Application date： Apr. 28, 1995
Publication date： Nov. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 特にプロセス上におけるハンドリングの容易な比較的厚い基板においても、良好な周期微細分極反転構造を均一にかつ再現性良く形成することが可能な光デバイスの製造方法を提供すること。【構成】 単一分域化された強誘電体から成る基板1の一主面に、帯状の絶縁膜3を所定間隔を空けて複数配列するとともに、絶縁膜3を含む基板1の一主面に導電膜4を被着させ、次に基板1の他主面側の表層を除去し、しかる後、基板1の他主面に共通電極7を配置するとともに、共通電極7と導電膜4との間に電界を印加し、基板1に分極反転を生ぜしめることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

単一分域化された強誘電体から成る基板の一主面に、帯状の絶縁膜を所定間隔を空けて複数配列するとともに、該絶縁膜を含む基板の一主面に導電膜を被着させ、次に前記基板の他主面側の表層を除去し、しかる後、前記基板の他主面に共通電極を配置するとともに、該共通電極と前記導電膜との間に電界を印加し、前記基板に分極反転を生ぜしめることを特徴とする光デバイスの製造方法。